В SK Hynix верят в возможность создания 600-слойной флеш-памяти 3D NAND


Будущее DRAM в компании связывают с EUV-литографией

Не только генеральный директор Intel на этой неделе рассказал о планах компании. Почти одновременно с программной речью на международном симпозиуме IEEE выступил генеральный директор SK Hynix Сок-Хи Ли (Seok-Hee Lee). Он и поделился видением будущего применительно у продукции, которую выпускает SK HynixЮ, то есть к микросхемам памяти.

В SK Hynix верят в возможность создания 600-слойной флеш-памяти 3D NAND

Глава SK Hynix представил несколько концептуальных разработок, которые компания работает прямо сейчас. Они относятся к памяти 3D NAND и DRAM.

Если ранее в компании полагали, что потенциал масштабирования 3D NAND ограничен примерно 500 слоями, то последние исследования позволяют производителю надеяться на освоение производства 600-слойной памяти 3D NAND. Уточним, что это дело отдаленного будущего. Пока компании удалось изготовить и опробовать 176-слойные чипы 3D NAND плотностью 512 Гбит. Дальнейшее увеличение числа слоев требует решения нескольких технических задач, включая совершенствование диэлектрических материалов и повышение равномерности формируемых слоев.

Похожая ситуация наблюдается  в разработке DRAM. Дальнейшее повышение плотности производитель связывает с переходом к EUV-литографии, что позволит преодолеть ограничения современной технологии. Одновременно в SK Hynix пытаются уменьшить толщину диэлектрического слоя, разработать новые изолирующие материалы с высокой диэлектрической проницаемостью и проводники с уменьшенным сопротивлением.

Источник

Оставить комментарий